Power Electronic System Consortium

將推動電動車 (EV/HEV)、太陽光電逆轉器 (PV Inverters,高功率 (kW~數百kW) 電力電子技術革新。

新一代電力電子技術 - 寬能隙的碳化矽 (SiC) 元件具有高導熱、耐高壓、大電流等特性;相較於氮化鎵 GaN (中功率) 元件,碳化矽元件與現有矽製程相容性高。

應用領域:車用馬達、PV-Inverter、變頻空調、PFC 應用等。

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  GaN on Si技術研討會
  刊登日期:2017/6/2

活動日期: 2017/6/26 ~ 2017/6/26 聯絡窗口: 蕭素貞小姐
活動地點: 工研院中興院區78館209會議室(新竹縣竹東鎮中興路四段195號) 電  話: (03)591-7510
報名日期: 即日起 傳  真:
主辦單位: 工業技術研究院電子與光電系統研究所電力電子系統研發聯盟(PESC) 電子郵件: E-mail: sjhsiao@itri.org.tw

GaN on Si技術研討會 在寬能隙半導體元件當中,因為物理與材料特性的優越性,GaN元件具有耐高溫、耐高壓與高頻等獨特的三高優勢。而GaN元件也因不同的基材選擇,有不同的技術挑戰、特性、成本結構與應用,如光電、功率電子與高頻通訊等產業。我們在本次研討會邀請國內從事GaN方面研發的重要專家,分別就GaN on Si磊晶,GaN on Si元件與GaN元件的驅動IC設計及系統應用等技術發表演說。內容豐富精采可期,歡迎各界先進踴躍參與。 主辦單位:工業技術研究院電子與光電系統研究所 電力電子系統研發聯盟(PESC) 日 期:2017年6月26日(星期一) 地 點:工研院中興院區78館209會議室 (新竹縣竹東鎮中興路四段195號78館209會議室) 【議程】 時 間 議 題 名 稱 講 師 13:10 ~ 13:30 報到 13:30 ~ 13:40 致詞 駱韋仲 組長 /工研院電光系統所 13:40 ~ 14:20 GaN on Si磊晶技術 林昆泉 博士 /聯鈞光電股份有限公司 竹科分公司 總經理 14:20~ 14:40 Break 14:40 ~ 15:20 GaN on Si元件技術 吳肇欣 副教授 /台灣大學光電所 15:20 ~ 16:00 GaN元件的驅動IC設計及系統應用 陳科宏 教授 /交通大學電機系 16:00 ~ 16:20 討論與交流 註:主辦單位可視情況更動會議議程及內容 ※ 報名資訊 報名費用:已含稅、講義與餐點 1. 一般學員每人新台幣2,000元 2. PESC聯盟享有3名人員免費,第4人起每人新台幣1,000元 3. AMPA聯盟會員每人新台幣1,000元 4. 電光系統所同仁免費 5. 工研院非電光系統所同仁每人新台幣1,000元 6. 在學學生每人新台幣1,000元 報名方式:請參考以下網址,並填寫報名表,請於6/23日 12:00時前完成報名 https://wlsms.itri.org.tw/ClientSignUp/Index.aspx?ActGUID=26956ADCAA 付費方式: 【ATM轉帳】 系統將會產生一組獨立之(兆豐銀行017)虛擬帳號,請依帳號至ATM進行轉帳 【計畫代號扣款】 工研院員工請填「參加訓練申請單」,並經主管同意後由計畫代號扣款 ※聯絡窗口:蕭素貞小姐,TEL:(03)591-7510 ※E-mail: sjhsiao@itri.org.tw ※備註說明:報名所含之個人資料,我們將遵守中華民國個人資料保護法規定,僅供研討會業務使用,不作其它用途。


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